| Країна виробник | Таїланд |
| Напр. насыщен. VCE | 2.3 V @ IC = 120 A |
| Матеріал корпусу | Пластик |
| Типа канал IGBT: | N-канал |
| Тип транзистора | MOSFET |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер | 300V |
| Країна виробник | Таїланд |
| Напр. насыщен. VCE | 2.3 V @ IC = 120 A |
| Матеріал корпусу | Пластик |
| Типа канал IGBT: | N-канал |
| Тип транзистора | MOSFET |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер | 300V |
| Тип біполярного транзистора | N-канал |
| Общее рассеивание при ТК = 25°С | 25W |
| Макс. ток коллектора | 200A (в импульсе) |