КТ306АМ
Транзистори КТ306АМ кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n перемикачні та посилені з ненормованим коефіцієнтом шуму.
Призначені для застосування в підсилювачах високої частоти (2Т306В, 2Т306Г, КТ306В, КТ306Г, КТ306Д) і перемикальних пристроях (2Т306А, 2Т306Б, КТ306А, КТ306Б).
