2Т321А
Транзисторы 2Т321А кремниевые, эпитаксиально-планарной структуры p-n-p импульсные.
Предназначены для применения в импульсных усилителях и переключающих устройствах.
Основные технические характеристики транзистора 2Т321А:
• Структура транзистора: p-n-p
• РК max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 210 мВт;
• РК и max — Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 20 Вт;
• fГ — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 60 МГц;
• Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 45 В;
• Uебо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 200 мА;
• Iкбо — обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,1 мА;
• h21Е — Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 40... 120;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 80 ПФ;
• Rке нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,6 Ом
